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DDR2 記憶體模組  New!
The next-generation evolution of DDR memory technology
 
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電壓：1.8V
CL值：4
CAS延遲時間：3, 4, 5
 
FeaturesSpecifications

1.8伏特操作，可使電源消耗降低約50%

記憶體晶片內部的記憶體訊號終端電阻（On-Die Termination）可防止發生回授訊號傳輸錯誤

操作上的改良可增強記憶體效能、效率及時序預留空間
CAS 延遲時間: 3, 4, 5
 
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